FICT - The Future is interconnected

研究開発センター

まだ存在しない技術を、"インターコネクト"から創り出す。

About

01 研究開発センターについて

当社の研究開発センターは、超高多層基板、半導体関連基板、および半導体デバイス関連分野における技術革新の加速を目的として設立されました。
次世代エレクトロニクスを支える3D多層化インターコネクト技術の高度化に注力し、先進的な研究開発を推進しています。
また、プローブカード基板やFC-BGAパッケージ基板などの高付加価値分野において、独自技術の開発と専門性の強化を通じて競争力の向上を図り、持続的な成長の実現を目指しています。
今後も最先端の研究開発に取り組むとともに、次世代技術の創出を通じてエレクトロニクス産業の発展に貢献してまいります。

センター長 飯田 憲司
設立 2025年12月
拠点 長野ラボラトリー、
川崎ラボラトリー、
糸島ラボラトリー
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センター長メッセージ

The Future is Interconnected
インターコネクトテクノロジーで、
未来はもっとつながりあう。

研究開発センターは、FICTの未来を切り拓く挑戦の拠点として設立されました。

AI、データセンター、高速通信、自動運転、そして光電融合技術の進展により、エレクトロニクス産業はかつてない変革期を迎えています。その中で半導体パッケージは、単なる実装技術ではなく、システム性能と競争力を左右する中核技術へと進化しています。

私たちは、この変化を追いかけるのではなく、未来を創り出す側でありたいと考えています。

その実現の中核を担うのが、当社独自の多層ガラス基板技術「G-ALCS」です。G-ALCSは、Chiplet統合、2.5D/3D実装、Hybrid Bonding、さらには次世代の光電融合デバイスまでを支える革新的なインターコネクトプラットフォームです。私たちは、この技術を世界水準の基盤技術へと磨き上げ、日本発のイノベーションとしてグローバル市場へ展開していきます。

研究開発の目的は、優れた技術を生み出すことだけではありません。社会や市場が求める価値を見極め、研究成果を事業へと結び付けることで、新たな成長と企業価値を創造することにあります。

研究開発センターは、お客様、パートナー企業、大学、研究機関との共創を通じて、新たなイノベーションの創出に挑戦します。そして、日本発のインターコネクトテクノロジーで世界の半導体産業の発展に貢献し、次世代エレクトロニクスの進化を支える存在を目指します。

未来は待つものではありません。
創り出すものです。
私たちは、技術の力で世界の未来をつなぎます。

FICT株式会社
研究開発センター長
飯田 憲司

Laboratories

02 拠点

長野ラボラトリー

〒381-8501
長野県長野市大字北尾張部36

先端テクノロジ担当

2025年12月開設

川崎ラボラトリー

〒212-8554
神奈川県川崎市幸区大宮町1310ミューザ川崎セントラルタワー13階

戦略イノベーション担当

2025年12月開設

糸島ラボラトリー

〒819-1122
福岡県糸島市東1963-4
(福岡超集積半導体
ソリューションセンター内)

先端テクノロジ担当

2025年12月開設

R&D Theme

03 取り組み(研究テーマ)

ガラスコア積層技術 3D-GLASS-Chiplet

ガラスをコア材として用いた次世代基板技術です。ガラスは樹脂基板と比較して優れた寸法安定性や低誘電特性を有しており、微細配線や高周波信号伝送に適しています。当社では、ガラスコア上への高密度配線形成や多層化技術の開発に取り組んでいます。

今後、AIサーバや高性能コンピューティング(HPC)向けパッケージでは、大型チップレットや高帯域メモリ(HBM)の搭載が進みます。ガラス基板はこれらの高度なシステムを支える基盤技術として期待されており、当社は高精度な積層・接続技術の確立を通じて次世代半導体パッケージの実現に貢献していきます。

部品内蔵基板技術 Component Embedded Substrate

受動部品や半導体デバイスを基板内部に埋め込むことで、小型化、高機能化、高信頼性を実現する技術です。部品実装面積を削減できるだけでなく、電気特性の向上や配線長短縮による高速化にも寄与します。

将来的には、チップレットや光電融合モジュールに必要となる電源回路や信号制御回路を基板内部へ集積することで、さらなる高性能化が期待されています。当社は高密度配線技術と融合し、次世代パッケージの高集積化に向けた開発を推進しています。

チップレット技術 Chiplet Technology

複数の機能チップを高密度に接続し、一つのシステムとして動作させる先進パッケージング技術です。CPU、GPU、メモリ、アクセラレータなどを個別に最適化して組み合わせることで、性能向上と開発効率向上を両立できます。

チップレット技術はAIやデータセンター向け半導体の中核技術として注目されており、将来的にはガラス基板による高精度インターポーザや光電融合技術との連携が不可欠になります。当社は高密度基板技術や接続技術を活かし、次世代チップレット実装ソリューションの実現に取り組んでいます。

光電融合パッケージ技術 Co-Packaged Optics

電気信号と光信号を一体的に扱うことで、高速・大容量通信と低消費電力を両立する技術です。従来の電気配線だけでは対応が難しい高速データ伝送に対し、光配線を活用することで通信ボトルネックの解消が期待されています。

AIサーバやデータセンターではデータ量の急増により光電融合技術の重要性が高まっています。当社では、光デバイスと半導体パッケージを高精度に接続する実装技術の開発を進め、ガラス基板やチップレット技術との融合による次世代コンピューティングプラットフォームの実現を目指しています。

PLP (パネルレベル
パッケージ)技術
Panel Level Package

従来のウェハー単位ではなく、大型パネル単位で半導体パッケージを製造する技術です。生産性向上やコスト低減に加え、大型・高集積パッケージへの対応が可能となります。

チップレットの普及に伴い、複数チップを搭載した大型パッケージの需要が拡大しています。当社はPLP技術を活用し、高精度かつ高効率なパッケージ製造技術の開発を進めることで、次世代半導体市場のニーズに応えていきます。

高精度実装技術 High-Precision Mounting

微細配線や狭ピッチ接続技術を活用し、多数のデバイスや機能を限られた領域に集積する技術です。小型化と高性能化を両立するための基盤技術として、半導体パッケージや電子機器の進化を支えています。

ガラス基板、チップレット、光電融合などの次世代実装では、これまで以上に高精度な位置合わせや微細接続が求められます。当社は長年培った高密度実装技術を中核として、次世代半導体パッケージの高性能化・高機能化に挑戦しています。

CoreTechnology

04 コアテクノロジ

F-ALCS
(エフアルシス)技術

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配線収容能力を飛躍的に向上させ、高速信号伝送を可能にする画期的なメッキレスビア形成基板技術

G-ALCS
(ジーアルシス)技術

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複数枚のガラス基板を樹脂で接着させ、導電性ペーストで電気的に接続した技術