次世代インターコネクト技術開発の拠点となる
研究開発センターを開設

超高多層基板、半導体関連基板および半導体デバイス関連基板の技術開発を加速し、3D多層化インターコネクト技術の
早期確立を目的として、新たに研究開発センターを開設いたしました。
今後も最先端技術の創出に向けて取り組んでまいります。

• 開設の目的

半導体関連事業の成長加速
超高多層基板、プローブカード、FC-BGAパッケージなどの高付加価値分野で、独自技術の開発とノウハウの蓄積を
通じて、事業競争力を強化し、持続的な成長を実現します。

次世代技術の確立
3D多層化インターコネクト技術など革新的テーマの研究開発を推進します。

• 研究開発センター概要

長野ラボラトリー
〒381-8501　長野県長野市大字北尾張部36

川崎ラボラトリー
〒212-8554　神奈川県川崎市幸区大宮町1310
ミューザ川崎セントラルタワー12階

糸島ラボラトリー
〒819-1122　福岡県糸島市東1963-4
（福岡超集積半導体ソリューションセンター内）